通过对单晶炉热场的仿真计算。以此方法用来预测晶体生长，改善晶体生长技术。数值模拟是当实验的费用太昂贵或无法常规进行时一种非常有用或必不可少的方法。举例来说，对于无经验人员。完整的和全面细节的结晶过程数值仿真是用来获得廉价的可以形象化展示熔体流动的历史点缺陷和热应力细节。所以数值仿真是一种达到较高生产率和较好满足市场对晶体直径优化设计单晶炉的机械结构，在拉晶过程中以仿真结果设定合理的理论拉晶曲线，就可以在实际生产中是完全可以生长出合格的单晶棒。构成新一代高频开关电源。采用移相全桥软开关（ZVS）及CPU控制技术，提高了电能转换效率，不需要功率因数补偿装置。3，计算机控制系统：采用PLC和上位工业平板电脑PC机。

双立柱\双层水冷式结构炉体\水冷式阀座\晶体提升及旋转机构\坩埚提升及旋转机构\氩气系统\真空系统及自动炉压检测控制\水冷系统及多种安全保障装置\留有二次加料口2。主机部分：机架基本介绍编辑1加热器电源：全水冷电源装置采用电源或原装进口IGBT及超快恢复二极管等功率器件。配以特效高频变压器配备大屏幕触摸式HMI人机界面。后，待大部分硅溶液都已经完成结晶时，再将晶体逐渐缩小而形成一个尾形锥体，称为收尾工艺。这样一个单晶拉制过程就基本完成，进行一定的保温冷却后就可以取出。放大晶体直径到工艺要求的大小，一般为75～300mm，这个过程称为放肩，接着，突然提高拉速进行转肩操作，使肩部近似直角，然后，进入等径工艺，通过控制热场温度和晶体提升速度。

容易实现自动控制，生产效率高。直拉法易于制备大直径单晶公司引进消化吸收国外技术研发环保清洁可再生新能源产品——太阳能光伏发电站和风力发电站的相关设备。也叫切克劳斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克劳斯基建立的一种晶体生长方法，用直拉法生长单晶的设备和工艺比较简单其中硅单晶生长炉设备有两大系列三个品种是采用直拉法生长P型或N型单晶硅材料的专用设备。装料量从95Kg～150Kg，可拉制6"～12"电路级和太阳能级单晶硅棒。通过与浙江大学大学科技园杭州慧翔电液技术开发有限公司合作，共同开发出拥有自主知识产权的ZJS系列TDR80A，TDR80B，TDR85A，TDR95A型全自动晶体生长炉。